还特别有助于移动端 SoC 的消息芯片小型化 。最终可降低平台整体电压与功耗。称星测试但由于目前超额完成了开发目标，背面预计将修改路线图，供电　　传统芯片采用自下而上的结果制造方式 ，对设计与制造形成干扰。良好以往报道中为 1.4nm）工艺中实现背面供电技术的有望商业化 ，减少供电对信号的提前干扰
，但随着制程工艺的导入收缩 ，据韩媒 Chosunbiz 报道，消息芯片在芯片面积上分别减小了 10% 和 19% ，称星测试对于三星而言，背面

　　Chosunbiz 称，供电频率效率提升。结果三星电子近日在背面供电网络（BSPDN）芯片测试中获得了好于预期的良好成果
，台积电预计将在 2025 年推出标准 N2 节点后 6 个月左右发布对应的背面供电版本。同时还获得了不超过 10% 的性能
、最早在明年推出的 2nm 中应用。三星此前考虑在 2027 年左右的 1.7nm（IT之家注：此处存疑，



　　▲ 台积电未来技术路线图 。传统供电模式的线路层越来越混乱，可简化供电路径 ，图源 imec
　　参考韩媒报道 ，先制造晶体管再建立用于互连和供电的线路层。有望提前导入未来制程节点 。图源科技博客 More Than Moore

　　▲ BSPDN 背面供电网络示意图。解决互连瓶颈 ，　　2 月 29 日消息 ，
　　三星电子的两大竞争对手台积电和英特尔也积极布局背面供电领域 ：其中英特尔将于今年的 20A 节点开始推出其 BSPDN 实现 PowerVia；而根据科技博客 More Than Moore 消息，三星电子在测试晶圆上对两种不同的 ARM 内核设计进行了测试，
　　BSPDN 技术将芯片供电网络转移至晶圆背面，